H³ 完全拆解:HBM 与高带宽闪存(HBF)混合架构如何驯服长上下文推理的内存墙

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46 分钟
H³ 完全拆解:HBM 与高带宽闪存(HBF)混合架构如何驯服长上下文推理的内存墙

引子:一篇只有四页的论文,为什么值得拆一整篇#

2026 年 2 月 4 日,SK 海力士的三位研究者(Minho Ha、Eui-Chan Kim、Hoshik Kim)在 IEEE Computer Architecture Letters(IEEE 计算机体系结构快报,第 25 卷第 1 期,49-52 页)上发表了一篇题为 H3: Hybrid Architecture Using High Bandwidth Memory and High Bandwidth Flash for Cost-Efficient LLM Inference 的论文,提出了一个叫 的混合存储架构——“H³”就是 Hybrid HBM+HBF Architecture 的缩写,即把**高带宽内存(HBM)和一种尚在研发中的新存储器件高带宽闪存(High Bandwidth Flash,HBF)**同时放进 GPU 的内存层级里。

为什么这篇短文值得单独拆一整篇?三个原因。第一,它回答了一个真实且越来越尖锐的问题:长上下文 LLM 推理需要的内存容量正在超出 HBM 的物理极限,而业界对”容量不够怎么办”一直没有硬件层面的答案,H³ 是存储原厂第一次给出成体系的硬件方案。第二,H³ 背后是一个全新的器件类别——HBF 把 NAND 闪存堆叠成 HBM 的样子,SK 海力士和 SanDisk 正在推进它的标准化,目标 2027 年商用,这可能是继 HBM 之后存储产业的下一个战场。第三,论文的仿真结果非常漂亮:每瓦吞吐最高提升 2.69 倍、批大小最高提升 18.8 倍、原本要 32 块 GPU 的负载 2 块就能跑——但仔细读会发现这些数字建立在若干强假设之上,而中文社区(半导体行业观察等)已经有文章从半导体工程的角度指出了其中的陷阱。

本文按”为什么需要 → 器件是什么 → 架构怎么设计 → 延迟怎么藏 → 实验怎么证明 → 假设哪里脆弱”的顺序,把这篇论文完全拆开。论文正文在 IEEE 上需要订阅,但社区已有完整中文翻译与深度分析(见参考资料),本文内容以论文原文与这些分析为准。

背景一:LLM 推理的内存墙,已经从”带宽”卷到了”容量”#

推理速度 ≈ HBM 带宽,这件事我们讲过#

Hot Chips 2026 全景拆解中我们详细推导过内存墙(Memory Wall):2017-2027 年间 AI 加速器算力大约每两年涨 3 倍,而 HBM 带宽每两年涨不到 2 倍。LLM 推理的 decode 阶段(逐 token 生成)每个 token 的核心计算是 GEMV(矩阵向量乘),权重只被读一次、没有复用,算术强度只有约 1-2 OPs/byte,正落在 Roofline 模型的 memory-bound 区。结论是:推理吞吐几乎线性正比于 HBM 带宽。这也是为什么 HBM 每提一代带宽,推理性能就跟着提一截。

但容量是另一个维度的问题#

带宽之外,还有容量。论文给出了两个触目惊心的数字,都基于 Llama 3.1 405B(FP8 精度下模型权重约 405 GB):

  • 模型权重:405B 参数的模型,每处理一个批次就要读取约 405 GB 的权重(权重只读不写)。FP8 精度下 B200 的 192 GB HBM 连权重都装不下,更别说 KV cache。
  • KV 缓存:KV cache 的大小与上下文窗口长度成正比(每层每头的 K、V 都要缓存)。Llama 3.1 405B 如果支持 100 万 token 上下文,预计算的 KV cache 约需 540 GB;如果扩展到 1000 万 token,则约需 5.4 TB

为什么 KV cache 会这么大?一个 token 的 KV 大小约为 2×d×L2 \times d \times L(K 和 V 各一份,dd 是注意力维度,LL 是层数),405B 模型层数深、维度大,乘上百万级的 token 数就是 TB 级。GQA(分组查询注意力,Llama 3 之后的主流做法)能把 KV 压缩 4-8 倍,但面对 10M token 级别的上下文依然是杯水车薪。

这就是论文开篇指出的困境:仅用 HBM 存这些数据,需要几十块 GPU,成本和功耗同比上升。注意这里”几十块 GPU”不是算力不够,而是纯粹的内存装不下——每块 GPU 的 192 GB HBM 是硬上限,而 GPU 数量和整机功耗是软预算,两者矛盾。

CAG:一个”海量只读”的典型场景#

论文强调的场景是缓存增强生成(Cache-Augmented Generation,CAG)。这个概念来自 Hive AI 等团队 2024 年底的论文 Don’t Do RAG: When Cache-Augmented Generation is All You Need for Knowledge Tasks(发表于 WWW 2025):对于固定知识库(公司文档、代码库、教科书),与其每次查询都做检索(RAG),不如把文档一次性塞进上下文、预计算 KV cache 并缓存起来,查询时直接复用。相比 RAG 省掉了检索延迟和检索错误,相比每个请求重新 prefill 省掉了重复计算。

CAG 与普通对话推理的关键区别在于:预计算的 KV cache 是只读的、且被多个请求共享。论文用”共享 KV 注意力”(shared-KV attention)来描述这种计算模式:所有请求共享同一份预计算 KV,注意力计算中 KV 的读取开销被大批次摊薄,因此增大批次不会明显增加延迟,却能线性提升吞吐

图 1:缓存增强生成(CAG)的概念——预计算的 KV 缓存被多个请求共享,是"海量只读"工作负载的典型代表(图片来源:H3 论文图 1,转引自半导体行业观察)
图 1:缓存增强生成(CAG)的概念——预计算的 KV 缓存被多个请求共享,是"海量只读"工作负载的典型代表(图片来源:H3 论文图 1,转引自半导体行业观察)

读这张图要抓住三个要素:左边是共享的预计算 KV 缓存(只读,被反复读取);中间是模型前向计算;右边是多个并发请求。虚线框出的部分说明 KV 读取这条路径只进不出——这正是 HBF 的用武之地。

背景二:HBF——把 NAND 闪存堆成 HBM 的样子#

结构上向 HBM 看齐,介质换成 NAND#

**HBF(High Bandwidth Flash,高带宽闪存)**的思路非常直接:HBM 能提供超高带宽,是因为用 TSV(硅通孔)把多片 DRAM 垂直堆叠起来、再通过硅中介层以极宽并行总线连到 GPU;那么把堆叠的介质从 DRAM 换成 NAND 闪存,就能同时拿到 NAND 的高容量密度和 HBM 式的高带宽。

图 2:高带宽闪存(HBF)的概念——垂直堆叠 NAND 闪存裸片,用 TSV 连接基底裸片与闪存裸片,整体结构与 HBM 同构(图片来源:H3 论文图 2,转引自半导体行业观察)
图 2:高带宽闪存(HBF)的概念——垂直堆叠 NAND 闪存裸片,用 TSV 连接基底裸片与闪存裸片,整体结构与 HBM 同构(图片来源:H3 论文图 2,转引自半导体行业观察)

图中可以看到 HBM 与 HBF 几乎一模一样的封装范式:底层是基底裸片(base die),上面叠着多层存储裸片,TSV 垂直贯穿。区别只在介质:DRAM 靠电容电荷存储,NAND 靠浮栅/电荷俘获存储,后者单比特成本低一个量级、密度高得多(3D NAND 已做到 200+ 层)。论文作者在 II-B 节明确指出:HBF 尚未商用,论文基于其目标设计指标(target specifications)展开研究。

HBF 的目标参数:优点和缺点一样鲜明#

论文给出的 HBF 预期指标(与 HBM3E 对比):

维度HBM3E(B200 配置)HBF(目标指标)对比
单器件容量24 GB/cube,192 GB/GPU约 3 TB(16 倍于 192 GB)容量碾压
带宽1 TB/s/cube,8 TB/s/GPU8 TB/s,与 HBM 相当持平
访问延迟纳秒级(约 20 ns)微秒级(约 20 μs)差约 1000 倍
成本高(DRAM 晶圆贵)约 HBM 的 1/5便宜
写入耐久性好(可频繁写)(NAND 有 P/E 寿命限制)明显短板
单位比特功耗基准最高可达 HBM 的 4 倍更高

这是一组”优缺点同样鲜明”的规格:容量大 16 倍、带宽相当、成本五分之一,但延迟差三个数量级、写不坏的问题变成写几次就坏、功耗还更高。所以 HBF 不可能单独作为 GPU 主存使用——这就是 H³ 混合架构存在的理由:只把 HBF 擅长的事交给它(海量只读),其他事留在 HBM

产业动态:标准化已经跑起来了#

HBF 不是论文里的空想,产业推进比很多人以为的要快:

  • 2025 年 2 月:SanDisk 首次公开 HBF 概念,定位为”带宽优化的 NAND 产品”;
  • 2025 年 8 月:SanDisk 与 SK 海力士签署谅解备忘录(MoU),共同定义 HBF 技术规范、推动标准化,并在 OCP(Open Compute Project) 框架下成立联盟,Google、Tenstorrent 等公司参与;
  • 2025 年 12 月前后:联盟发布首批 HBF 规范,覆盖每封装最高 512 GB 容量、两种堆叠配置、0.4-3 Tb/s 三档带宽等级,互连采用 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express,通用芯粒互连标准);
  • 2025 年 10 月 OCP 全球峰会:SK 海力士发布面向 AI 的 NAND 产品家族”AIN”(AIN P 性能型 / AIN B 带宽型 / AIN D 密度型),其中 AIN B 系列即基于 HBF 技术;
  • 时间表:样品预计 2026 年下半年,首批搭载 HBF 的推理系统预计 2027 年初;第一代 HBF 预计采用 16 层 NAND 堆叠,量产可能在 2028 年后。

而三星虽然也在自行开展 HBF 概念设计(成立了专门团队),但没有加入 SanDisk-SK 海力士的开放联盟,选择单干。美光目前没有公开 HBF 计划。HBF 被 TrendForce 等机构预测为 2030 年约 120 亿美元的市场(同期 HBM 约 1170 亿美元),定位是 HBM 的补充而非替代。

HBF 的宣传要点:带宽与 HBM 相当、容量约 16 倍、成本约五分之一——"看起来像完美方案",但论文与后续分析都表明代价藏在延迟、耐久与功耗里(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)
HBF 的宣传要点:带宽与 HBM 相当、容量约 16 倍、成本约五分之一——"看起来像完美方案",但论文与后续分析都表明代价藏在延迟、耐久与功耗里(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)

核心设计:H³ 架构——菊花链、统一地址空间与数据放置#

设计空间:HBM 和 HBF 在物理上怎么摆#

混合架构的第一个问题是物理布局:HBM 和 HBF 都放哪里?论文讨论了两种方案。

方案 A:把 HBM 和 HBF 并列放在 GPU 引脚区(pin field)旁边。 好处是两者都能直接以最高带宽连接 GPU。坏处是 GPU 裸片的引脚区面积有限——现代 GPU 的引脚区基本被 HBM 占满(B200 是 8 个 HBM3E cube),再放 HBF 就得挤占 HBM 的数量,等于用带宽换容量,得不偿失。

方案 B(论文的选择):菊花链(daisy-chain)连接。 GPU 只直接连 HBM;HBF 挂在 HBM 后面,通过 HBM 的基底裸片中继访问。这样 GPU 的引脚区一个不多占,HBM 数量不变,HBF 的带宽虽然要经过 HBM 基底裸片中转,但只要中继路径做得足够宽,瓶颈就不在这里。

H³ 的三层结构(论文图 3 详解)#

图 3:H³ 架构总览。(a) 物理连接:GPU 通过中介层连 HBM 基底裸片,HBM 基底裸片再通过中介层连 HBF 基底裸片,形成菊花链;(b) HBM 基底裸片内部用地址译码器与路由器把访存分流到 HBM 或 HBF 两条路径,延迟隐藏缓冲(LHB)位于 HBM 基底裸片;(c) HBM 与 HBF 共用 GPU 的统一地址空间,按内存区域划分(图片来源:H3 论文图 3,转引自半导体行业观察)
图 3:H³ 架构总览。(a) 物理连接:GPU 通过中介层连 HBM 基底裸片,HBM 基底裸片再通过中介层连 HBF 基底裸片,形成菊花链;(b) HBM 基底裸片内部用地址译码器与路由器把访存分流到 HBM 或 HBF 两条路径,延迟隐藏缓冲(LHB)位于 HBM 基底裸片;(c) HBM 与 HBF 共用 GPU 的统一地址空间,按内存区域划分(图片来源:H3 论文图 3,转引自半导体行业观察)

这张图是全文的核心,三个子图分别回答三个问题:

(a)怎么连的? 自上而下是 GPU → 硅中介层 → HBM 基底裸片(含 HBM 堆叠)→ 硅中介层 → HBF 基底裸片(含 HBF 堆叠)。注意 HBF 不直接连 GPU,而是”挂在 HBM 后面”——这就是菊花链。论文假设 GPU 与 HBM 基底裸片之间、HBM 基底裸片与 HBF 基底裸片之间都用裸片间(die-to-die,D2D)接口连接,且带宽等于基底裸片与核心裸片之间的带宽,也就是说中继路径不会成为瓶颈。

(b)访问怎么分流? HBM 基底裸片内部集成了地址译码器(address decoder)和路由器(router):GPU 发来的访存请求先到 HBM 基底裸片,译码器根据地址判断目标是 HBM 还是 HBF,路由器把请求送往对应路径。HBM 和 HBF 的控制器各放在自己的基底裸片上(论文注明:可根据芯片面积情况调整)。图中 HBM 基底裸片里还有一块延迟隐藏缓冲(Latency Hiding Buffer,LHB),这是针对 HBF 长延迟的关键组件,下一节单独讲。

(c)软件视角是什么样? 对 GPU 和主机来说,HBM 与 HBF 是同一个统一地址空间里的两个内存区域——主机无需感知两者物理上的差异,只需要把数据分配到哪个区域。这个设计把”硬件上有两种介质”封装成了”软件上一种内存、两种 placement 策略”,大幅降低了集成难度。

为什么菊花链是对的:三个工程理由#

  • 不牺牲 HBM 数量:方案 A 的致命伤是引脚区零和博弈,方案 B 完全不占额外引脚;
  • 利用”带宽受限”的推理特征:LLM 推理是 memory-bound,访存是持续流水线式的,菊花链增加的是跳延迟(hop latency)而非带宽损失,延迟可以被流水线掩盖(下一节详述);
  • 复用成熟 HBM 基础设施:HBM 基底裸片在 HBM4 之后本来就要集成逻辑(控制器、缓存),把 LHB 和路由器做进去是顺水推舟。

数据放置策略:只读的进 HBF,动态的留 HBM#

架构搭好后,数据怎么放?论文的规则只有一条:只读数据放 HBF,其余放 HBM

数据类型读写特征放置介质原因
模型权重(405B ≈ 405 GB)只读、反复读HBF大、只读,完美避开 HBF 写耐久短板
共享预计算 KV cache(540 GB - 5.4 TB)只读、多请求共享HBF最大头的数据,容量只有 HBF 扛得住
动态生成的 KV cache(新 token 的 K/V)写后读、持续增长HBM延迟敏感、需要反复写
中间激活、临时张量读写HBM延迟敏感

图 4:H³ 在含海量共享预计算 KV 缓存的 LLM 推理中的访问方式——权重与共享 KV 从 HBF 读出,动态 KV 与中间数据在 HBM 中流转(图片来源:H3 论文图 4,转引自半导体行业观察)
图 4:H³ 在含海量共享预计算 KV 缓存的 LLM 推理中的访问方式——权重与共享 KV 从 HBF 读出,动态 KV 与中间数据在 HBM 中流转(图片来源:H3 论文图 4,转引自半导体行业观察)

图中上层的 HBM 与下层的 HBF 各司其职:HBF 负责”喂”权重和共享 KV 这两条大流,HBM 负责快进快出的动态数据。论文指出,访问 HBF 时增加的跳延迟之所以可接受,是因为 LLM 推理受内存带宽限制——数据持续排队流入,偶尔的跳延迟被队列吸收,不会暴露为气泡。

三个”为什么 LLM 推理是 HBF 的理想场景”#

  1. 为什么跳延迟可以隐藏? 因为推理是带宽受限而非延迟受限:只要数据以足够快的速度持续供应,单个请求多等 20μs 不影响整体吞吐。这和后端排队理论是一个道理——吞吐看平均服务率,不看单个请求的等待。
  2. 为什么确定性访问模式重要? LLM 推理的数据访问是确定性的、顺序的:第 ii 层只用第 ii 层的权重和 KV,前一层不完成下一层不开始,且每个张量的读取时机可以精确预测。论文认为,配合深度学习框架的支持,可以做到张量级(tensor-level)调度:某个算子需要同时用到 HBM 和 HBF 里的数据时,因为需要哪些张量是事先知道的,HBM 与 HBF 之间的争用(contention)可以提前安排、保持可控。
  3. 为什么只读是加分项? NAND 最怕写。只读负载意味着垃圾回收(GC)和磨损均衡(wear-leveling)几乎不触发——这两个是 SSD 延迟抖动的最大来源,在只读场景下开销趋近于零。反过来,如果 KV 缓存要频繁更新(普通对话场景),HBF 的写耐久短板会直接暴露。

这套组合拳的结果是:H³ 用相同的 GPU 数量装下了 16 倍的内存,批次可以开得更大,吞吐随之提升,单位 token 的成本随之下降

LHB 延迟隐藏缓冲:把 20 微秒藏起来#

为什么需要它:三个数量级的差距#

HBM 的 DRAM 访问延迟约 10-20 纳秒;HBF 的 NAND 访问延迟按论文假设约 20 微秒(基于公开的 SLC NAND 读取延迟数据)。两者相差 1000 倍。如果没有中间层,GPU 每次访问 HBF 都要”干等”20μs——即便带宽够,延迟抖动也会让流水线频繁断流。

论文的方案是延迟隐藏缓冲(Latency Hiding Buffer,LHB):一块集成在 HBM 基底裸片(或 HBF 基底裸片)里的预取缓冲区(prefetch buffer)。LLM 推理的确定性访问模式是它的底气:下一层需要哪些权重、哪些 KV,是可以提前精确预测的,于是可以提前把数据从 HBF 持续搬进 LHB,GPU 只从 LHB 读,NAND 的 20μs 延迟就”藏”在了预取流水线里,对 GPU 不可见。

容量公式:双缓冲推导#

LHB 要多大?论文给出了一个干净的计算:为了不间断地以满带宽向 GPU 供数,采用双缓冲(double buffering)——一块缓冲在给 GPU 供数时,另一块正在从 HBF 预取下一批:

CapacityLHB=2×BWHBF×LatencyHBF\text{Capacity}_{\text{LHB}} = 2 \times \text{BW}_{\text{HBF}} \times \text{Latency}_{\text{HBF}}

逐项解释:BWHBF\text{BW}_{\text{HBF}} 是 HBF 单 Cube 的带宽(论文假设 1 TB/s,与 HBM3E 单 Cube 相同),LatencyHBF\text{Latency}_{\text{HBF}} 是 HBF 的访问延迟(假设 20 μs)。单个缓冲要装下”延迟期间流过的数据量”,即带宽 × 延迟 = 1 TB/s × 20 μs = 20 MB;双缓冲意味着任意时刻一块在读、一块在写,所以总量 ×2,得 40 MB

代入数值:

CapacityLHB=2×1 TB/s×20 μs=2×20 MB=40 MB\text{Capacity}_{\text{LHB}} = 2 \times 1\ \text{TB/s} \times 20\ \mu\text{s} = 2 \times 20\ \text{MB} = 40\ \text{MB}

论文同时说明:20 μs 这个数字取的是当前商用 NAND 的读延迟,随着 HBF 商用化预计还会改善,届时 LHB 需求会低于 40 MB。

面积账:40 MB SRAM 占基底裸片的 6.7%#

40 MB 的 SRAM 不是小数目——SRAM 是六管单元(6T),单位比特面积远大于 DRAM 和 NAND。论文按最先进的 3 nm SRAM 工艺估算:3 nm SRAM 比特密度约 0.021 μm²/bit,40 MB(按十进制算 4000 万字节)的 SRAM 核心面积:

40×106×8 bit×0.021 μm2/bit1066.72 mm2\frac{40 \times 10^6 \times 8\ \text{bit} \times 0.021\ \mu\text{m}^2/\text{bit}}{10^6} \approx 6.72\ \text{mm}^2

加上约 20% 的额外电路(译码、控制逻辑、接口),总面积约 8.06 mm²。作为参照,当前商用 HBM 基底裸片面积约 121 mm²,8.06 mm² 只占约 6.7%——考虑到基底裸片的可用空间(且未来 HBM4 及定制 HBM 的基底裸片会更大),这个开销处于可接受范围。

软件配合:预取提示#

LHB 不是硬件单方面就能工作的。论文明确指出,需要修改深度学习框架以提供预取提示(prefetch hints):框架在调度某个算子时,顺带告诉硬件”接下来要读 HBF 里的哪块张量”。好在预取是确定性的(模式可预测)、粒度是粗粒度的张量级(不是细碎缓存行),论文预计预取开销很小。

但这里藏着一个论文没有明说的隐含假设:LHB 的命中率必须足够高——社区分析认为这隐含要求 80% 以上。预取对了,20μs 被隐藏;预取错了(命中率掉下来),GPU 就要实打实等一次 NAND 访问,性能断崖式下跌。而预取是否正确,完全取决于工作负载是否真的”确定性、顺序性”——这是后文批判性分析的关键点之一。

仿真评估:怎么证明 H³ 有效#

HBF 尚未商用,无法实测,论文采用内部仿真器进行评估。这部分是理解”2.69 倍”到底怎么来的关键,值得逐项拆。

方法:基于解析模型的仿真器#

仿真器基于此前研究中已验证的解析模型(validated analytical model),从三个时间分量估算性能:

  • 计算时间:由 LLM 模型运算量(FLOPs)与 GPU 峰值算力估算;
  • 数据传输时间:由模型大小、KV cache 大小与器件带宽估算,计算时考虑**张量并行(TP)与数据并行(DP)**下的数据划分与复制;
  • GPU 间通信时间:假设张量并行采用**环形全规约(ring all-reduce)**计算。

注意这套模型的关键取舍:它把内存系统抽象成了”容量 + 带宽”,对延迟的处理是”假设可被隐藏”——所以仿真结果天然偏向验证 H³ 的论点,论文自己也在局限中承认这一点(社区分析称之为”理想化场景”)。

配置:B200 + 8 个 HBM3E + 8 个 HBF#

参数取值
GPUNVIDIA Blackwell B200(峰值算力按官方数据,无 HBM/HBF 时 TDP 680 W)
HBM3E8 cube/GPU,单 cube 24 GB、1 TB/s,合计 192 GB、8 TB/s;单 cube TDP 40 W
HBF8 堆栈/GPU,单堆栈 384 GB、1 TB/s,合计 3 TB、8 TB/s(约为 HBM3E 的 16 倍容量);单堆栈 TDP 160 W(基于当前 NAND 技术估算,论文预计优化后会降低)
工作负载Llama 3.1 405B(FP8),上下文长度 1M 与 10M(原始 128K 扩展而来)
请求参数输入序列长度(ISL)= 输出序列长度(OSL)= 1K token;剩余上下文空间全部由共享预计算 KV cache 占据
共享 KV 占比1M 场景约占系统总容量的 35%;10M 场景约占 84%
硬件规模DGX 风格系统;1M 场景 8 块 GPU;10M 场景 32 块 GPU(均为纯 HBM 方案运行对应序列所需的最小 GPU 数,10M 场景因此需要 InfiniBand 横向扩展而非 NVLink 纵向扩展)

两个细节值得注意。第一,共享 KV 占了系统容量的大头(10M 场景 84%)——这正是 H³ 发挥威力的区间,也是论文论证的”海量只读”特征的量化体现。第二,10M 场景要 32 块 GPU 打底,意味着 HBM-only 方案下光”装下 KV cache”就要 32 块 GPU,H³ 则把这 32 块的负担压到 2 块——这是后面”32 → 2”奇迹的由来。

结果一:批次大小最高 18.8 倍#

把共享 KV 移进 HBF 后,HBM 腾出了大量容量,同样的 GPU 数就能开更大的批次。

图 5:不同 GPU 数量下可处理的最大批次大小(× 表示内存容量不足无法运行)——1M 场景 H³ 的批次最大为纯 HBM 方案的 2.6 倍,10M 场景最大为 18.8 倍;H³ 用 1 块 GPU 即可运行 1M 场景,2 块即可运行 10M 场景(图片来源:H3 论文图 5,转引自半导体行业观察)
图 5:不同 GPU 数量下可处理的最大批次大小(× 表示内存容量不足无法运行)——1M 场景 H³ 的批次最大为纯 HBM 方案的 2.6 倍,10M 场景最大为 18.8 倍;H³ 用 1 块 GPU 即可运行 1M 场景,2 块即可运行 10M 场景(图片来源:H3 论文图 5,转引自半导体行业观察)

读图要点:横轴是 GPU 数量,纵轴是能承载的最大批次大小(对数刻度)。纯 HBM 方案在 GPU 数量不足时会直接”装不下”(图中的 × 号)——1M 场景至少要 8 块、10M 场景至少要 32 块;而 H³ 曲线从 1 块 GPU 就存在。论文特别指出两个观察:

  1. 10M 场景下,H³ 用 2 块 GPU 就能跑,批次最大为纯 HBM 方案的 18.8 倍;
  2. 1M 场景下,H³ 用 1 块 GPU 就能跑(纯 HBM 需要 8 块),批次最大 2.6 倍。

“虽然性能会有所下降(毕竟 GPU 变少了),但可以以极低的成本处理长序列”——这是论文认为 H³ 在成本敏感场景的核心价值。

结果二:吞吐量 1.25 倍 / 6.14 倍#

更大的批次直接转化为吞吐。论文用 TPS/request(每秒生成的 token 数)作为吞吐指标,主要由批次大小与执行时间决定。

图 6:吞吐量与单位功耗吞吐量对比。(a) 每秒 token 数(TPS):1M 场景 H³ 为纯 HBM 方案的 1.25 倍,10M 场景为 6.14 倍;即使 HBF 带宽减半,1M 场景吞吐仍优于纯 HBM 方案;(b) 单位功耗吞吐量(TPS/W):H³ 最高为纯 HBM 方案的 2.69 倍;HBF 带宽减半时 10M 场景仍为 2.09 倍(图片来源:H3 论文图 6,转引自半导体行业观察)
图 6:吞吐量与单位功耗吞吐量对比。(a) 每秒 token 数(TPS):1M 场景 H³ 为纯 HBM 方案的 1.25 倍,10M 场景为 6.14 倍;即使 HBF 带宽减半,1M 场景吞吐仍优于纯 HBM 方案;(b) 单位功耗吞吐量(TPS/W):H³ 最高为纯 HBM 方案的 2.69 倍;HBF 带宽减半时 10M 场景仍为 2.09 倍(图片来源:H3 论文图 6,转引自半导体行业观察)

  • 1M 场景:吞吐为纯 HBM 方案的 1.25 倍
  • 10M 场景:吞吐为纯 HBM 方案的 6.14 倍
  • 论文预测:序列越长,差距越大——因为 KV cache 容量占比越高(10M 场景 84% vs 1M 场景 35%),HBF 的大容量越能转化为批次优势。

结果三:每瓦吞吐最高 2.69 倍#

吞吐上去了,但 HBF 的功耗更高(单堆栈 160 W vs HBM3E 单 cube 40 W),会不会”省了 GPU、费了电”?论文把吞吐除以系统总 TDP(GPU 680 W + 各内存器件功耗)得到每瓦吞吐:

  • 尽管 H³ 系统总功耗更高(8 个 HBF 堆栈多出约 8 × 120 W = 960 W),每瓦吞吐最高仍为纯 HBM 方案的 2.69 倍
  • 账是这么算的:10M 场景吞吐 6.14 倍,功耗只增加了约 1.2-1.4 倍(32 块 GPU 变 2 块,GPU 功耗大幅下降),吞吐增幅远超功耗增幅,所以每瓦吞吐大涨。

结果四:HBF 带宽减半的敏感性分析#

HBF 产品化后实际带宽可能达不到目标值,论文因此测试了HBF 带宽减半(4 TB/s)的影响:

  • 1M 场景:吞吐仍优于纯 HBM 方案;
  • 10M 场景:每瓦吞吐仍有纯 HBM 方案的 2.09 倍

论文给出的解释很有洞察:H³ 并非所有数据都放在 HBF 里(动态 KV 和中间数据在 HBM),所以整体性能不会随 HBF 带宽成比例下降。换句话说,混合架构自带”带宽降级韧性”。

批判性审视:假设、物理极限与成本真相#

论文的仿真数字漂亮,但它们全部建立在”工作负载高度只读、访问模式高度可预测”的前提上。中文社区的深度分析(半导体行业观察,2026 年 2 月)从半导体工程角度指出了这些假设的脆弱之处,这一节综合论文与社区分析展开。

只读假设:在真实生产中能撑住吗?#

论文把模型权重和共享预计算 KV cache 都归为”只读”,但生产环境里”只读”是相对的:

  • 模型权重:生产系统普遍使用 LoRA/QLoRA 等参数高效微调(PEFT),适配器权重小但更新频繁;A/B 测试与灰度发布意味着同时服务多个模型版本;INT8/FP8/FP16 动态切换是常见优化手段。这些都会让”权重只读”打折扣。模型切换尤其麻烦——HBF 里存着几百 GB 的旧权重,换版本意味着大规模写入,撞上 NAND 写耐久和 20μs 写延迟的枪口。
  • KV 缓存:CAG 确实是论文引用文献中提出的有效用例,但它只覆盖 LLM 推理的一小部分——ChatGPT、Claude 这类通用对话服务每请求都生成新 KV cache,动态写入为主,与 HBF 的定位正好相冲;共享文档更新时缓存如何刷新(写!);管理几百 GB 共享缓存池需要 LRU 等淘汰策略,淘汰本身就是写操作

NAND 的物理极限:1000 倍的延迟差距不是架构能抹平的#

即使”只读”假设成立,还有更根本的问题:DRAM 和 NAND 的延迟差异来自物理机制,不是缓存技巧能消除的。

  • DRAM 单元:读写在电容中存取电荷,本质是电开关操作,10-20 ns;
  • NAND 单元:通过隧穿效应把电子移入/移出浮栅,需要高电压、长耗时,读取 25-100 μs(写入更慢)。

DRAM 与 NAND 的延迟鸿沟:电开关(纳秒级)与电荷隧穿(微秒级)的物理差异,比架构技巧能弥补的范围大得多(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)
DRAM 与 NAND 的延迟鸿沟:电开关(纳秒级)与电荷隧穿(微秒级)的物理差异,比架构技巧能弥补的范围大得多(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)

前车之鉴是英特尔傲腾(Optane / 3D XPoint):延迟约 100 ns,已经比 NAND 快两个数量级,依然没能替代 DRAM——因为与 DRAM 的 10-20 ns 相比,100 ns 的差距在内存层级里就足以致命。HBF 的 20 μs 比傲腾又慢两个数量级,靠 40 MB SRAM 缓冲”缓解”可以,“解决”不可能:一旦 LHB 未命中,20 μs 的访问延迟会完整暴露给 GPU,而推理流水线在 1 TB/s 的带宽下 20 μs 能流过的数据量是 20 MB——正好是一个缓冲区的容量,一次未命中就可能让整个流水线断流一拍。

“廉价 NAND”陷阱:系统成本的真实构成#

HBF 的支持者说”NAND 晶圆成本只有 HBM 的五分之一”,这话单看芯片没错,但 HBF 不是一片裸的 NAND。把 HBF 做成能用的内存系统,每一项附加组件都在侵蚀成本优势:

成本项说明
40 MB SRAM 缓冲(LHB)SRAM 单位面积成本远高于 NAND,3 nm 工艺下 8 mm² 不便宜
独立 DRAM(跑 FTL)闪存转换层(Flash Translation Layer)需要工作内存做地址映射和损耗均衡,类似 SSD 控制器
异构 TSV 堆叠HBM 是同质堆叠(同种 DRAM 裸片),HBF 是异质堆叠(NAND + SRAM + 控制器逻辑芯片混搭),热膨胀系数、电性能、可靠性要求各不相同,对准与键合难度大增,良率直接拖累成本
封装与测试复杂度要验证 SRAM 命中率、FTL 精度、损耗均衡算法、ECC、垃圾回收——这本质上是 SSD 控制器级别的验证复杂度,远超 HBM 的”内存访问测试”
控制器逻辑HBM 只是简单内存接口;HBF 需要复杂控制器做地址转换、预取、缓存管理、磨损均衡、垃圾回收
软件与生态PyTorch/CUDA 生态都围绕 HBM 构建;数据放置、预取提示、内存分配策略需要全新软件栈配合

"廉价 NAND"陷阱:HBF 系统的完整成本构成——便宜的 NAND 之上叠加了 SRAM 缓冲、FTL 用 DRAM、异构 TSV 堆叠、控制器与软件适配,总拥有成本需要重新算账(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)
"廉价 NAND"陷阱:HBF 系统的完整成本构成——便宜的 NAND 之上叠加了 SRAM 缓冲、FTL 用 DRAM、异构 TSV 堆叠、控制器与软件适配,总拥有成本需要重新算账(图片来源:半导体行业观察解读文章插图)

社区分析的结论很直白:从廉价材料出发没错,但所有把它变成可用产品的环节都会推高总成本。HBF 要证明经济性,不能只比每 GB 单价,要比真实工作负载下的总拥有成本(TCO)。另一个容易被忽略的点是初始良率:HBM 也是经过几代改进才把良率拉起来的,HBF 采用更复杂的异构堆叠,早期良率大概率更低——良率减半,成本翻倍。

替代路线:HBF 面对的竞争#

在 HBF 从样品走向量产(2026-2027)的窗口里,其他技术正在快速成熟:

  • HBM4(2026 年量产):每堆栈带宽 1.5 TB/s(比 HBM3E 提升 50%)、容量 32-48 GB,单 GPU 有望达到 384 GB(8 × 48 GB)。HBM4 的容量优势会压缩 HBF 的”容量救星”叙事空间,而且延迟、可靠性、生态系统全部继承已验证的 HBM 路线
  • HBM-PIM(三星):在内存内部执行向量加、激活等简单运算,减少数据搬运,提升有效带宽——比 HBF 更激进,但依托现有 HBM 生态。
  • CXL 内存池化:CXL 2.0/3.0 通过 PCIe 连接 GPU/CPU 与内存池,容量可扩展到 TB 级,x16 链路带宽 256 GB/s、延迟 200-400 ns。带宽低于 HBF,但可池化、按需分配、行业标准。我们在FPGA 加速器完全拆解(二)里拆解过的 CXL-SpecKV(FPGA 2026)正是用 CXL 内存池放 KV cache 的路线——与 H³ 目标高度重合,路径完全不同。
  • 软件优化:GQA 把 KV 缩小 4-8 倍(Llama 3 已采用);FP8/INT4 量化把内存占用减半以上;vLLM 的 PagedAttention(本站有完全拆解)和连续批处理把有限内存的利用率拉到极限;FlashAttention 系列优化 KV 访问模式。这些都不需要新硬件。

等到 HBF 真正量产(2028 年后),模型侧的 KV 压缩与量化可能已经让”内存不够”的痛感减轻了一大截。这是 HBF 最大的时间风险:解决需求的速度可能赶不上需求本身被软件抹平的速度

产业格局:为什么三星单干、美光缺席、NVIDIA 不动#

把视野拉高,会发现 HBF 的推进节奏其实由存储厂商的商业战略主导:HBM 让存储厂商从”标准品供应商”变成了”与 GPU 深度绑定的系统组件供应商”,而 HBF 是这一趋势的延伸——它不只是卖内存,而是提出重新设计整个内存层级的平台方案(NAND + SRAM + DRAM + 控制器 + 接口),让存储厂商能在系统架构层面与客户协作、把影响力延伸到软件栈、积累 IP 壁垒。即便 HBF 最终不能取代 HBM,异构堆叠技术、NAND 内存化经验、与 GPU 厂商的系统级协作经验本身就有战略价值。这也是 SK 海力士(DRAM/HBM 强)与 SanDisk(NAND 强)联手、而三星选择独立路线的深层原因。

总结:H³ 的价值、边界与下一步#

回到开头的问题:H³ 到底解决了什么?

它给出了”GPU 内存不够装长上下文”的第一个完整硬件方案。 在此之前,业界应对 KV cache 容量危机的思路都是软件侧(量化、GQA、PagedAttention、CXL 池化),而 H³ 展示了另一条路:把一种还在研发中的新器件(HBF)以最小侵入的方式(菊花链 + 统一地址空间 + LHB)接进 GPU 的内存层级,只让它干”海量只读”这一件它擅长的事。论文的仿真给出了可量化的承诺:10M token 共享 KV 场景下吞吐 6.14 倍、每瓦吞吐 2.69 倍、32 块 GPU 变 2 块。

但它的边界同样清晰。 所有数字都依赖”工作负载高度只读、访问模式确定可预取、LHB 命中率足够高”的强假设;40 MB SRAM + FTL + 异构堆叠的真实成本尚未被任何实测验证;NAND 的 20 μs 延迟是物理天花板,LHB 只是权宜之计。论文自己也承认 H³ 只是 HBM 与 HBF 协同方式的一种——未来工作还包括 HBM 与 HBF 混合堆叠、某些场景单独使用 HBF 等更激进的设计。

对读者来说,H³ 的价值不只在”2.69 倍”这个数字,更在于它提供了一组思考内存层级的框架:什么样的数据放什么介质,取决于容量、带宽、延迟、耐久、功耗五个维度的匹配。权重和共享 KV 放 HBF 是对的,动态 KV 放 HBM 也是对的——这个”对”不来自架构师的偏好,而来自两个器件在五个维度上完全互补的画像。下一次再看到”新存储介质”的新闻(HBM4、CXL、3D-DRAM、HBF),都可以用这套维度去拆解它的适用场景。HBF 的样品预计 2026 年下半年面世,届时论文的假设将第一次接受真实硬件的检验。

参考资料#

  1. H3: Hybrid Architecture Using High Bandwidth Memory and High Bandwidth Flash for Cost-Efficient LLM Inference(论文 DOI)
  2. 论文 IEEE 页面(IEEE Computer Architecture Letters, Vol. 25, No. 1, pp. 49-52)
  3. 下一个HBM:HBF,能行吗?(半导体行业观察,含论文全文中文翻译与工程视角批判)
  4. SK hynix Unveils AI Chip Architecture with HBF, Reportedly Boosts Performance per Watt by Up to 2.69×(TrendForce 报道)
  5. SK hynix, Samsung, and SanDisk Bet on HBF — The Next Battleground in Memory Sector(TrendForce 产业分析)
  6. SK Hynix, Sandisk Unveil First Standard for High Bandwidth Flash(SDxCentral,HBF 首批规范)
  7. Don’t Do RAG: When Cache-Augmented Generation is All You Need for Knowledge Tasks(CAG 原始论文,arXiv:2412.15605)
  8. SK 海力士探索 H3 混合存储:发挥 HBM 与 HBF 各自优势,优化 AI 推理负载能效(IT之家 / C114)
  9. SK海力士发布基于HBF的AI芯片架构,能效比提升最高达2.69倍(电子产品世界)
  10. Hot Chips 2026 全景拆解:内存墙与 HBM 内部结构(本站文章)
  11. FPGA 加速器完全拆解(二):CXL-SpecKV——把 KV 缓存拆到 FPGA 的内存池(本站文章)

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H³ 完全拆解:HBM 与高带宽闪存(HBF)混合架构如何驯服长上下文推理的内存墙
https://pinghaoyang.com.cn/aigc/posts/h3-hbm-hbf/
作者
平昊阳
发布于
2026-08-25
许可协议
CC BY-NC-SA 4.0

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平昊阳
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